Inženýři společnosti IBM dnes v Curychu ukázali výsledky svého výzkumu v oblasti nového typu počítačové paměti označované jako PCM (paměti s fázovou změnou). PCM úložiště jsou zatím v laboratorní podobě 100x rychlejší než nejvýkonnější paměti typu flash.

Pro ukládání dat využívají PCM prvky paměťové buňky z materiálu, který vlivem tepla mění své fyzikální vlastnosti mezi několika stavy, které umožňují do jedné buňky zapsat více informací.

Zbývá vám ještě 70 % článku
Předplatné bez reklam první 2 měsíce za 80 Kč
  • Veškerý obsah HN.cz
  • Mobilní aplikace
  • Bez reklam
  • Odemykejte obsah pro přátele
  • Články v audioverzi + playlist
  • Možnost kdykoliv zrušit
Máte již předplatné? Přihlásit se